RT1050开发--第6节 RT1050 Memory Mapping

第6节 RT1050 Memory Mapping

RT1052结构框图

Cortex-M7 存储器映射

• 如果给存储器再分配一个地址，就叫做存储器重映射；
• 在4GB的地址空间，ARM粗线条的平均分为7个块，每个块也规定了用途，大部分的款大小都是512MB以上，显然是很大的，芯片厂商在每个块的范围内设计外设时根本用不完；

RT1052存储器功能划分

重点！！！

在这上面的7个Block中，有4个非常重要。

• Block0 主要用于存储**程序代码**，一般采用FLASH存储器；
• Block1 主要用于**运行时内存**，一般采用SRAM存储器；
• Block2 用来设计成片上外设，内核通过相应的地址访问片上外设；
• Block5 用于NVIC，系统定时器，系统功能控制块；

Block0

自下往上看：

1. ITCM：是Instruction Tightly-Coupled Memory的缩写，指的是**指令紧耦合内存**。
   • 所谓紧耦合，指的是该内存与内核紧密连接，有很高的访问速度，而“指令”，表示该内存用于缓存指令；
   • 对于我们希望有极高执行速度的代码，可以要求内核上电后把相应的代码从外部的Flash加载至ITCM，那么在运行时，代码的执行速度就不会因为外部的Flash访问速度而存在瓶颈。
2. ROCMP：**这是一小段ROM空间，用于存储芯片启动时的加载代码，即Bootloader，Bootloader负载把指令从外部存储器加载到ITCM**；
3. FlexSPI：和SEMC一起是RT1052中可用于控制外部并行和串行NorFlash的两个外设，此处把它们映射到这个代码空间，是歪了支持XIP功能（即指令直接在NorFlash中运行，不需要加载到内部的ITCM）。
4. SEMC：智能外部存储器控制器；

Block1

1. DTCM：数据紧耦合内存，和ITCM类似，有着极高的访问速度，*不过它是专门用来存储程序数据的，即带啊吗中变量的存储位置*；
2. OCRAM：是 On-chip RAM 的缩写。即片上内存，可以完全把它理解为传统MCU内部的SRAM，它没有像ITCM和DTCM的专用限制，**可以用于存储指令和数据**（通用目的）。

注意！

在RT1052中，TCM只有512KB，不是分别ITCM DTCM OCRAM都有，而是它们三个共有512KB！

通过FUSE，有16种FlexRAM的配置！这个和后续的分散加载文件息息相关！

• 具体来说，ITCM DTCM OCRAM三种存储器**共享内部FlexRAM的空间，而这个内部的FlexRAM空间在RT1052中是512KB**；
• 默认是第一种配置，256-128-128；

Block2

Block2 用于设计片内的外设，在RT1052中，它的外设使用4条总线与内核进行连接，AIPS 是 ARM IP Bus 的缩写，**它一边与 AHB 总线连接，另一边与片上的各种外设连接，AIPS1~4 即连接了各种各样的外设，此处每条总线划分的地址范围是1MB，内核根据地址可以访问相应总线下的外设，达到控制目的**。

Block5

谁影响了代码的运行速度？

订正：

• I-Cache/D-Cache

RT1052没有内置的Flash，那么如果像原来一样，在MCU的Flash中运行，就会受限于NorFlash的总线访问速度，无法发挥CPU速度的优势。那么，通过分散加载文件，到Cache，TCM中运行，就是一个可行的解决方案了。