RT1024 EVK 学习笔记Part3

Page5 MCU PINOUT 部分！

以及额外的，Page14 BOOT！

U1D SEMC 部分

SEM接口部分共有42个引脚，为GPIO_EMC_00 ~ GPIO_EMC_41。 它的功能分组如下：

引脚功能分组

• 数据线: SEMC_D0 ~ SEMC_D15 (16位数据总线)；
• 地址线: SEMC_A0 ~ SEMC_A12 (13位地址总线)；
• 控制信号13个:
  • SEMC_DM0, SEMC_WE, SEMC_CAS, SEMC_RAS, SEMC_CS0, SEMC_BA0, SEMC_BA1;
  • SEMC_CKE, SEMC_CLK, SEMC_DM1;
  • SAI3_MCLK, ENET_MDIO, ENET_MDC;

数据选通信号DQS说明

• SEMC_DQS: 数据选通信号,用于高速数据传输时的同步; 在MCU端的Pin是GPIO_EMC_28, 它默认用于SAI3_MCLK, 如果需要SEMC的DQS功能，则要断开0Ω电阻R426；

  • SAI3_MCLK: 音频接口主时钟信号；

    如果使用了SEMC_DQS, 且读写时Pin脚float，则能达到133MHz；否则，不使用SEMC_DQS, 读写速度只能达到66MHz；

控制信号详解

• SEMC_DM0 / SEMC_DM1 (Data Mask):

  • 这是数据掩码信号
  • 分别控制低8位和高8位；

• SEMC_WE (Write Enable):

  • 写使能信号
  • 低电平有效
  • 用于指示当前是写操作
  • 与RAS/CAS配合使用来控制读写时序

• SEMC_CAS (Column Address Strobe):

  • 列地址选通信号
  • 低电平有效
  • 用于锁存列地址
  • SDRAM访问需要先给行地址再给列地址；

• SEMC_RAS (Row Address Strobe):

  • 行地址选通信号
  • 低电平有效
  • 用于锁存行地址
  • 与CAS的组合可以产生不同的SDRAM命令

• SEMC_CS0 (Chip Select):

  • 片选信号；–> 因为只有一个片选信号，RT1024应该是只能外接一片SDRAM的；
  • 低电平有效
  • 系统可以有多个CS信号连接多个SDRAM

• SEMC_BA0/BA1 (Bank Address):

  • SDRAM内部bank地址信号；
  • 用于选择SDRAM内部的存储体
  • 通常SDRAM有4个bank,需要2位地址
  • 可以实现bank交错访问提高性能

U1F NVCC_SD 部分

电源设计

• NVCC_SD为SD接口NVCC_SD0供电；
• 使用两个去耦电容:
  • C76(4.7μF): 大电容用于稳定电源
  • C77(0.1μF): 小电容用于滤除高频噪声

SD卡接口信号(GPIO_SD_B0_xx组)

（7个Pin：00~06）

• SD1_D0~D3: 4位数据线，其中，D0有上拉到NVCC_SD高电平；
• SD1_CMD: 命令线，上拉到NVCC_SD高电平；
• SD1_CLK: 时钟线；
• SD_CD_SW: SD卡检测信号，注意这个Pin脚是GPIO_SD_B0_06；

其他复用功能(GPIO_SD_B1_xx组)

（12个Pin：00~11）

• CAN1_TX/RX: CAN通信接口；

• I2C4_SCL/SDA: I2C通信接口；

• SAI3相关信号: 音频接口信号：

  • SAI3_TX_BCLK
  • SAI3_TX_SYNC
  • SAI3_TXD
  • SAI3_RXD

• INT1/2_COMBO以及AUD_INT: 中断信号；

  其中INT2_COMBO通过DNP未连接0Ω电阻R243到GPIO_SD_B1_05，它也是FlexSPI DQS线，需要floating，使QSPI Flash读写速度达到133MHz；

• SD_PWREN:这个也是个重要控制信号，来决定SD卡是否上电！

U1C 5V_USB_OTG 部分

MCU的USB OTG接口电路部分

1. 电源设计
   • 5V_USB_OTG: USB 5V供电，限流25mA，连接到USB_OTG1_VBUS引脚；
   • VDD_USB_3V: 3.3V供电，连接到VDD_USB_CAP；
2. 信号线
   • OTG1_DN / OTG1_DP: USB差分数据对
   • USB_OTG1_VBUS: VBUS电源检测引脚;
   • USB_OTG1_CHD: 充电检测引脚;

U1E NVCC_GPIO_3V3 部分

电源设计

• DCDC_3V3转换为NVCC_GPIO_3V3供电；
• 采用双级去耦电容设计：
  • 5个4.7μF大电容：处理低频噪声
  • 5个0.1μF小电容：处理高频噪声
• 这种配置确保了GPIO供电的稳定性

GPIO配置

• NVCC_GPIO：5个Pin给GPIO组进行独立供电；
• GPIO_AD_B0_xx和GPIO_AD_B1_xx：两组GPIO端口，B0组有16个Pin，B1组有10个Pin；

GPIO_AD_B0_xx 组

1. 调试接口
   • JTAG接口：
     • JTAG_TMS：测试模式选择
     • JTAG_TCK：时钟
     • JTAG_TDI：测试数据输入
     • JTAG_TDO：测试数据输出
     • JTAG_nTRST：复位
     • JTAG_MOD 默认接地；
   • SWD接口：
     • SWD_CLK：时钟，复用JTAG_TCK；
     • SWD_DIO：数据输入输出，复用JTAG_TMS;
     • TRACE_SWO：默认DNP的，复用了GPIO_AD_B0_12;
2. 通信接口
   • UART1_TXD / RXD：串口通信
   • ENET：以太网接口信号
     • 4个接收/发送数据线：
       • ENET_RXD1/ ENET_RXD0；
       • ENET_TXD1/ ENET_TXD0；
     • 1个时钟线：ENET_TX_REF_CLK
     • 1个使能线：ENET_TXEN
     • 1个复位线：ENET_RST
     • 其他控制线：
       • ENET_RXER
       • ENET_CRS_DV
3. 特殊功能
   • WDOG_B：看门狗复位，和JTAG_TDI复用；
   • TRACE_SWO：跟踪调试输出

GPIO_AD_B1_xx 组

好像放的是一些外设的重要控制信号？！

• ENET_INT：以太网中断信号
• SD0_VSELECT：SD卡电压选择，支持1.8V/3.3V双电压模式；
• USER_LED
• USB_OTG1_PWR ： 控制外部USB设备供电
• USB_OTG1_ID ： 用于确定USB角色(主机/设备)
• USB_OTG1_OC ： 检测USB端口是否发生过流
• CAN_STBY
• I2C1_SCL / I2C1_SDA

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Page 14 BOOT

启动配置部分BOOT_CFG[0:9]：

1. FUSE MAP配置表
   • FlexSPI - Serial NOR配置：
     • HOLD TIME可选：500us/1ms/3ms/10ms
     • FLASH类型支持多种选项：
       • 3B/4B读取模式
       • HyperFlash 1V8/3V3
       • QSPI设备 3B读取模式–> 在secondary pinmux选项上；；
       • Micron Octal DDR
       • MXIC Octal DDR
     • EncryptedXIP：使能与否；
   • SD启动配置：
     • SD/SDXC速度模式4种选择：
       • Normal/SDR12
       • High/SDR25
       • SDR50
       • SDR104
     • 总线宽度：1-bit/4-bit
     • 电源循环和时钟源选项
     • 端口选择：eSDHC1/eSDHC2
     • 快速启动选项
2. 硬件实现
   • **DIP开关(SW8)**：
     • 四个选项连接：BT_CFG[0]、BT_CFG[5]、BOOT_MODE[0]、BOOT_MODE[1]；
     • 用于选择启动模式：
       • Serial Download: 0001
       • FlexSPI Boot: 0010
       • SD Boot: 0110
   • GPIO连接：
     • 使用GPIO_EMC_16到GPIO_EMC_27
     • 这些引脚在启动时作为配置引脚
     • 启动后可以作为普通GPIO使用
3. 特殊功能
   • 支持加密XIP（Execute In Place）
   • 可配置快速启动模式
   • 支持多种存储设备类型
   • 灵活的时序和总线配置

这种设计提供了灵活的启动选项，允许系统从不同类型的存储设备启动，并且可以通过DIP开关轻松更改启动配置，方便开发和调试。